題名:Argon atoms insertion in diamond: New insights in identification of
carbon C 1s peak in X-ray photoelectron spectroscopy analysis
著者:Jean-Francois Veyan
DOI:doi.org/10.1016/j.carbon.2018.03.053
公開日:2018.3.22
概要:単結晶、多結晶ダイヤモンド、及び、グラファイト膜におけるXPS C1sピークを調べた。特にC1sピークにおけるsp2-Cとsp3-Cの結合性について調べた。
・試料
ウルトラナノクリスタルダイヤ(UNCD)
ナノクリスタルダイヤ(NCD)
マイクロクリスタルダイヤ(MCD)
単結晶ダイヤ(SCD)
グラファイト(黒鉛)
・実験条件
XPS分析装置:Versa Probe II ベース圧力 4×10-8Pa、光源:単色化Al Kα線、測定領域 200×200μm2、パスエネルギー23.2eV、測定ステップ0.2eV (CSDのみ0.1eV)
・実験結果
Fig.1:XPSにおけるC1sピーク。左から(a)UNCD、(b)NCD、(c)MCD、(d)SCD、(e)グラファイト。青いピークと赤いピークはそれぞれ、アルゴンスパッタリング(1kV)の前後。(a)から(d)にかけては、スパッタ前と比べて、スパッタ後ではピークが2つに分かれている(CDとCD-Ar)。一方、(e)においてはピーク形状がほとんど変わっていない。
Fig.5:Fig.4におけるC1sとAr2pのピークエネルギー差を横軸にアルゴンスパッタの加速電圧を取って表したグラフ。加速電圧が上がると、エネルギー差は小さくなっていく。
Fig.8:XPSのピーク面積から求めた最表面におけるアルゴンの割合。加速電圧に応じて増えていくが、加速電圧2kVで2%となり、飽和する。
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